新闻称三星芯片部门担任人携 1b DRAM 样品拜访英伟达，全力争夺

IT之家 2 月 18 日新闻，据 TheElec 报道，三星芯片部分的担任人上周亲身前去美国英伟达总部停止拜访。此次拜访的目标是向英伟达展现三星最新研发的 1b DRAM 芯片样品，该芯片重要用于高带宽内存（HBM）。新闻人士流露，英伟达曾在客岁请求三星改良其 1b DRAM 的计划，此次展现的样品恰是基于英伟达的请求而改良后的结果。平日情形下，三星装备处理计划（DS）部分的担任人亲身向客户展现样品的情形较为常见。IT之家留神到，三星在客岁曾打算应用 1b DRAM 出产 HBM，但遭受了良品率跟过热成绩。该 DRAM 属于第五代 10 纳米产物，重要用于 HBM3E。因为面对上述成绩，三星曾打算改用 1a DRAM（1b DRAM 的前代产物）来出产 HBM3E 8H 跟 12H，并打算跳过 1b DRAM，直接应用 1c DRAM 出产 HBM4。但是，因为英伟达保持请求应用 1b DRAM，三星不得不从新调剂打算。此次三星副董事长兼 DS 部分担任人 Young Hyun Jun 的拜访，很可能是为了确保三星可能博得英伟达的 HBM3E 订单。现在，三星的竞争敌手 SK 海力士曾经向英伟达供给采取 1b DRAM 出产的 HBM3E 12H，美光也估计将在近期开端出产面向英伟达的人工智能减速器所需的 HBM。上个月，三星曾表现其“改良版”HBM3E 的筹备任务停顿顺遂，并打算于往年第二季度正式量产并供货。Young Hyun Jun 不只是 DS 部分的担任人，还兼任该部分下的内存营业担任人，他作为 DRAM 范畴的专家，被以为主导了 1b DRAM 的计划改良任务。在 1 月份的 CES 展会上，英伟达首席履行官黄仁勋曾表现，三星须要从新计划其 HBM，以经由过程英伟达的资历认证。